planarization相关论文
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该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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High breakdown voltage InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistors withfmax =256 GHz and BV
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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研究了一种基于BCB材料的牺牲层接触平坦化技术,用于红外焦平面阵列Post CMOS工艺之前对读出电路表面的平坦化,以利于微测辐射热计......
LCoS的核心——显示芯片既不同于普遍的IC芯片，又非传统的TFT-LCD驱动电路与显示矩阵简单组合的芯片，而是一块多功能、多结构、与现......
研究了预亚胺化温度、时间以及刻蚀时间对聚酰亚胺湿法刻蚀结果的影响。预亚胺化后2.5μm厚的PI-5型聚酰亚胺采用EPG 533型光刻胶......
针对书籍内缝边缘类型的材料在进行光学字符识别(OCR)时会产生曲面变形的问题,提出将曲面表面的文字平面化的算法.将文字切割为网......
化学机械抛光技术几乎是迄今唯一可以提供全局平面化的表面精加工技术,可广泛用于集成电路芯片、计算机硬磁盘、微型机械系统(MEMS......
离散磁道式磁盘在与磁头瞬态接触过程中极易损坏.为改善离散磁道式磁盘的瞬态接触状况,采用有限元仿真方法,建立了平整化前后离散......
化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing,CMP）是当今唯一能够提供全局平面化的技术,其抛光机理的研究是当前的热点。综述了考虑......
重点探讨了蓝宝石衬底基片表面平整加工工艺方案,并开展了表面平整加工工艺的实验研究。采用形状测量激光显微系统、接触式测厚仪......
亚纳米级抛光是获得超光滑表面的主要方法。目前,常用的亚纳米级抛光方法有化学机械抛光（CMP）、电化学机械抛光（ECMP）、无磨料化学机械......
表面平整化技术是半导体工业的关键技术，在一定程度上制约着半导体芯片集成技术的发展，针对多层立体布线的IC全局平坦化技术，介绍了代......
“叉指式微加速度计”的研制，需要使用高浓度硼扩散硅片，而硅片经过高浓度硼扩散后，硅片双面生长了一层硼硅玻璃，很难将其去除，不能在高......
在亚微米ＩＣ器件的铝金属化工艺中，采用了阻挡层和硅化物后，发现随着铝淀积温度的升高，铝的阶梯覆盖率有所提高，为克服高温淀积带来的问题......
成功地将Polyimide钝化平坦化工艺应用于InP／InGaAs单异质结晶体管制作工艺中．在Vce=1．1V，Ic=33．5mA的偏置条件下，发射极尺寸为1．4μm......
“叉指式微加速度计”的研制，需要使用高浓度硼扩散硅片，而硅片经过高浓度硼扩散后，硅片双面生长了一层硼硅玻璃，采用原有CMP工艺很难......
The biaxially textured ion beam-assisted deposited(IBAD)-MgO templates were successfully prepared on polycrystalline Has......
构建平面拓扑结构是无线传感器网络中一个重要的问题,它是设计许多高效网络协议的基础。传感器网络中许多重要的协议和应用都依赖......
The goal of this brief partly review paper is to summarize the results of the works published over the last few years re......
探究了节瘤缺陷平坦化技术中平坦化层（刻蚀层）厚度和种子源尺寸之间的刻蚀规律,同时解释了平坦化技术提高节瘤缺陷的损伤阈值的机制......
This study presents an improvement of high dynamic range contact-type capacitive displacement sensor by applying planari......
Radio-frequency(RF)process products suffer from a wafer edge low yield issue,which is induced by contact opening.A failu......
